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三星接受英伟达工艺要求，定制HBM基底裸片将用台积电3纳米工艺
据《首尔经济日报》报道，三星电子将按英伟达要求，以台积电3纳米工艺生产定制高带宽内存NVHBM的基底裸片。英伟达同时要求核心裸片采用1c DRAM工艺，以提高性能一致性、减少验证工作。三星对标准HBM及其他客户定制产品仍计划保留一站式生产模式。
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值得关注
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英伟达向三星电子、SK 海力士和美光提出统一要求：基底裸片采用台积电3纳米工艺，核心裸片采用第六代1c DRAM工艺。
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三星计划继续自行生产面向AMD等其他客户的定制HBM，同时正验证自有产线制造NVHBM基底裸片的可行性。
为什么值得关注
报道所述调整体现了英伟达对定制HBM生产标准化的要求，同时三星仍为其他HBM产品保留一站式制造方案。
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