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佳能据报拟扩充后端光刻机产能,到2029年增加五成
据《日刊工业新闻》报道,佳能计划到2029年把半导体后端光刻机产能较目前增加50%。公司正研发先进封装用i线光刻设备,并已开发可处理510×515毫米基板的大尺寸机台,分辨率为0.8微米,具有高对准精度和大视场。
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值得关注
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扩产计划针对半导体后端工艺所用光刻机,增幅以当前产能为基准。
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佳能半导体设备事业部负责人表示,无掩膜直写图案化方案目前尚非i线光刻机在RDL生产中的直接竞争对手。
为什么值得关注
这项扩产计划涉及半导体后端工艺设备,佳能的相关设备研发还面向先进封装。
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